RTAX2000DL-1CQ352V vs RTAX2000DL-1CQ352E موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از RTAX2000DL-1CQ352V بذریعہ Microchip Technology اور RTAX2000DL-1CQ352E بذریعہ Microchip Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Microchip Technology
RTAX2000DL-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000DL-1CQ352V ✓ فعالMicrochip Technology
RTAX2000DL-1CQ352E - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000DL-1CQ352E ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | RTAX2000DL-1CQ352V | RTAX2000DL-1CQ352E |
|---|---|---|
| برانڈ | Microchip Technology | Microchip Technology |
| زمرہ | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Family | RTAX-DSP (RTAX2000DL) | RTAX-DSP / RTAX-SL radiation-tolerant FPGAs |
| Equivalent System Gates | 2,000,000 (approx.) | 2000000 gates |
| Logic Cells | 29,568 | 29568 |
| CLBs | 19,712 | — |
| Core Supply Voltage | 1.425 V to 1.575 V (nominal 1.5 V) | 1.5 V nominal (1.425 V to 1.575 V) |
| Technology | Digital CMOS | Digital CMOS, antifuse (nonvolatile, one-time programmable) |
| Programming Technology | Antifuse (one-time programmable) | — |
| Radiation Tolerance | Radiation-tolerant (RTAX-DSP) | — |
| Configuration | Live at power-up, no external boot memory | Live at power-up, no external configuration device |
| Speed Grade | -1 | -1 (standard) |
| پیکیج | CQ352 (352-pin ceramic QFP) | 352-terminal CQFP (Ceramic Quad Flat Pack), column E lead finish |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Application Domain | Space-flight systems | — |
| Special Features | DSP multiply-accumulate blocks (DL variant) | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Embedded SRAM | [DATA_NEEDED: Embedded SRAM capacity] | — |
| Configurable Logic Blocks (CLBs) | — | 19712 |
| DSP Mathblocks | — | Up to 120 |
| DSP MAC Performance | — | 125 MHz 18-bit x 18-bit multiply-accumulate |
| Embedded Memory | — | Up to 540 kbits SRAM with optional EDAC |
| Total Ionizing Dose (Functional) | — | 300 krad(Si) |
| Total Ionizing Dose (Parametric rating) | — | 200 krad(Si) |
| User I/O | — | 166 input and 166 output terminals |