RTAX2000S-1CQ352PROTO vs RTAX2000D-1CQ352V موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از RTAX2000S-1CQ352PROTO بذریعہ Microchip Technology اور RTAX2000D-1CQ352V بذریعہ Microchip Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Microchip Technology
RTAX2000S-1CQ352PROTO RTAX2000S-1CQ352PROTO - Rad-Tolerant FPGA 2M Gates | Microchip

RTAX2000S-1CQ352PROTO - Rad-Tolerant FPGA 2M Gates | Microchip

RTAX2000S-1CQ352PROTO ✓ فعال
Microchip Technology
RTAX2000D-1CQ352V RTAX2000D-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000D-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000D-1CQ352V ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر RTAX2000S-1CQ352PROTO RTAX2000D-1CQ352V
برانڈ Microchip Technology Microchip Technology
زمرہ FPGA & CPLD FPGA & CPLD
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Family RTAX-S Radiation-Tolerant FPGA —
Series RTAX2000S —
Configurable Logic Blocks (CLBs) 21504 —
Equivalent System Gates 2000000 —
Process Technology CMOS —
Programmability Type Antifuse (one-time programmable) —
Configuration Live at power-up, single chip Live at power-up, single-chip, no external configuration device
Speed Grade -1 -1
Device Designation PROTO (prototyping / engineering) —
Temperature Grade C (commercial) —
پیکیج CQFP352 (ceramic quad flat pack, 352 leads) CQFP-352 (CQ352), ceramic
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Radiation Tolerance Radiation-tolerant (space-flight qualified family) —
سپلائی وولٹیج [DATA_NEEDED: core supply voltage] —
Maximum I/O Count [DATA_NEEDED: user I/O count for CQ352 package] —
Embedded SRAM [DATA_NEEDED: embedded SRAM block capacity] —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Equivalent Gates — 2,000,000
Logic Cells — 29,568
CLBs — 19,712
Core Supply Voltage — 1.425 V to 1.575 V (nominal 1.5 V)
DSP Mathblocks — Up to 120
DSP MAC Performance — 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate
Embedded Memory — Up to 540 kbits with optional EDAC protection
Technology — Digital CMOS, antifuse (nonvolatile)
Total Ionizing Dose (Functional) — 300 krad (Si)
Total Ionizing Dose — 200 krad (Si)
Screening — RTAX-D (Condition A, tighter ICCA limits at 125C final electrical test)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں