RTAX2000SL-1CQ352V vs RTAX2000DL-CQ352B موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از RTAX2000SL-1CQ352V بذریعہ Microchip Technology اور RTAX2000DL-CQ352B بذریعہ Microchip Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Microchip Technology
RTAX2000SL-1CQ352V RTAX2000SL-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000SL-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000SL-1CQ352V ✓ فعال
Microchip Technology
RTAX2000DL-CQ352B RTAX2000DL-CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000DL-CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000DL-CQ352B ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر RTAX2000SL-1CQ352V RTAX2000DL-CQ352B
برانڈ Microchip Technology Microchip Technology
زمرہ FPGA & CPLD FPGA & CPLD
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Family RTAX-S/SL Radiation-Tolerant FPGA —
Equivalent System Gates 2,000,000 2,000,000
CLB Count 21,504 —
Logic Cells 32,256 [DATA_NEEDED: Logic Cells]
Core Supply Voltage 1.5 V (1.425 V to 1.575 V) —
Process Technology CMOS, antifuse OTP interconnect —
Radiation Tolerance Radiation-tolerant (space flight grade) —
Configuration Live at power-up, single chip (antifuse) Live at power-up, no external boot PROM required
Embedded Memory Embedded SRAM with built-in FIFO control Up to 540 kbits with optional EDAC protection
Clocking Segmentable clock resources, chip-wide highway routing —
پیکیج 352-pin ceramic CQFP (CQ352) 352-terminal ceramic CQFP, metal-sealed
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Application Domain Space flight systems Space flight systems
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
I/O Supply Voltage [DATA_NEEDED: I/O bank voltage] —
Total Ionizing Dose (TID) [DATA_NEEDED: TID rating] —
MSL لیول Not applicable (ceramic package) —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] —
CLBs — 19,712
DSP Mathblocks — Up to 120
DSP MAC Performance — 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate
Programming Technology — Nonvolatile antifuse
Total Ionizing Dose (Functional) — 300 krad (Si)
Total Ionizing Dose (Parameter) — 200 krad (Si)
Core Supply Voltage (Nominal) — 1.5 V
Core Supply Voltage Range — 1.425 V to 1.575 V
Terminal Pitch — 0.500 mm

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں