A3PE3000L-FG896 vs A3PE3000L-1FGG896 So sánh
So sánh chi tiết song song của A3PE3000L-FG896 bằng Microchip Technology và A3PE3000L-1FGG896 bằng Microchip Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Microchip Technology
A3PE3000L-FG896 - ProASIC3L Low Power FPGA 620 I/O | Microchip
A3PE3000L-FG896 ✓ Hoạt độngMicrochip Technology
A3PE3000L-1FGG896 - 3M-Gate ProASIC3L Flash FPGA | Microchip
A3PE3000L-1FGG896 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | A3PE3000L-FG896 | A3PE3000L-1FGG896 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Family | ProASIC3L | ProASIC3L |
| System Gates | 3,000,000 | 3000000 |
| User I/O | 620 | 620 |
| Logic Cells | 75,264 | 75264 |
| Core Voltage | 1.2 V to 1.5 V | 1.2 V (supports 1.2 V to 1.5 V) |
| Technology | 130 nm nonvolatile flash | — |
| Configuration Memory | Nonvolatile flash (single-chip, Instant On) | Nonvolatile flash (single-chip) |
| Hộp | 896-ball FBGA | 896-ball FBGA (FGG896), 1.00 mm pitch |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Low Power Feature | Flash*Freeze technology | — |
| Max Operating Frequency | [DATA_NEEDED: max operating frequency] | — |
| Embedded Memory | [DATA_NEEDED: embedded memory size] | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Operating Temperature Suffix | Commercial (unmarked suffix; -I grade is industrial) | — |
| Trạng thái RoHS | unknown | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Programmability | In-system reprogrammable | — |
| Total Bits of RAM | — | [DATA_NEEDED: Total embedded RAM bits] |
| I/O Voltage | — | As low as 1.2 V |
| Speed Grade | — | -1 |
| Process Technology | — | 130 nm flash |
| Special Features | — | Flash*Freeze technology |
| Packaging | — | Tray |
| Terminal Pitch | — | 1.00 mm |
| Technology Base | — | CMOS flash |
| Dynamic Power Reduction vs ProASIC3 | — | Approx. 40% |
| Static Power Reduction vs ProASIC3 | — | Approx. 50% |