BSC014N04LSIATMA1 vs BSC014N04LS So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC014N04LSIATMA1 bằng Infineon và BSC014N04LS bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC014N04LSIATMA1 | BSC014N04LS |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 31 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 96 W | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 2.5 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +150 C | — |
| Hộp | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) | SuperSO8 5x6 (TDSON-8FL) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Tradename | OptiMOS | — |
| Polarity | — | N-channel |
| VDS Max | — | 40 V |
| RDS(on) Max | — | 1.4 mOhm |
| ID Max | — | 198 A |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C |
| Configuration | — | Single MOSFET |
| Absolute Max Rating Condition | — | TC = 25C, de-rating required above |
| Thermal Test Condition | — | 40 mm x 40 mm x 1.5 mm FR4, 6 cm2 70 um copper drain area |
| VGS Max | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation | — | [DATA_NEEDED: power dissipation] |
| Thermal Resistance RthJC | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance] |