BSC019N04LSTATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC019N04LSTATMA1 bằng Infineon và BSC014NE2LSIATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon
BSC019N04LSTATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC019N04LSTATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 161 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 28 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 1.7 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | 85 nC | — |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | 94 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +150 C | — |
| Hộp | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 °C to +150 °C |
| Lead-Free | — | Yes |