BSC019N04LSTATMA1 vs BSC018NE2LSATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC019N04LSTATMA1 bằng Infineon và BSC018NE2LSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon
BSC019N04LSTATMA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC019N04LSTATMA1 | BSC018NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 25V (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 161 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 28 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 1.7 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | 85 nC | — |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | 94 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +150 C | -55°C to +150°C (TJ) |
| Hộp | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8-1 (8-PowerTDFN) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 29 A |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V | — | 1.8 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Charge (Qg) | — | 39 nC @ VGS=10V |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2800 pF @ VDS=12V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 69 W |