BSC034N06NSATMA1 vs BSC066N06NSATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC034N06NSATMA1 bằng Infineon và BSC066N06NSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC034N06NSATMA1 | BSC066N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.4 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | 1.7 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | 26 nC (typ) |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 74 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 60 V trench-gate |
| Hộp | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 64 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | — | 45 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 6.6 mΩ (max) |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 46 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) | — | 1.3 °C/W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55°C to +150°C |