BSC039N06NSATMA1 vs IPB17N25S3100ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC039N06NSATMA1 bằng Infineon và IPB17N25S3100ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC039N06NSATMA1 - 60V 3.9mΩ 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
BSC039N06NSATMA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC039N06NSATMA1 | IPB17N25S3100ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 250 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] | 64 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.9 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| Power Dissipation at TA (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC (PD) | 69 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +150C | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số lượng chân | 8 | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | ±20 V max | — |
| Technology | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant (Green Product) |
| Part Number | — | IPB17N25S3100ATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 17 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 100 mOhm max @ VGS = 10 V |
| Typical RDS(on) | — | 19.3 mOhm (manufacturer trench-technology figure, per datasheet collateral) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 19 nC @ VGS = 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1.5 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 23 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 625 pF |
| Power Dissipation (PD) | — | 107 W at Tc = 25 C |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 C to +175 C |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified (automotive grade) |
| Avalanche Rated | — | 100% avalanche tested |