BSC0504NSIATMA1 vs IAUC60N04S6L039ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC0504NSIATMA1 bằng Infineon và IAUC60N04S6L039ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC0504NSIATMA1 - 30V 21A N-MOSFET | Infineon | Power Switching
BSC0504NSIATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC60N04S6L039ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC0504NSIATMA1 | IAUC60N04S6L039ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | N-channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage | 30 V | — |
| Continuous Drain Current at Ta | 21 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc | 72 A | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 30 W | — |
| Technology Family | OptiMOS 5 | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-6 | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số lượng chân | 8 pins | — |
| Exposed Pad | Yes, according to distributor package description | — |
| On-State Resistance | [DATA_NEEDED: on-state resistance] | — |
| Gate Charge | [DATA_NEEDED: gate charge] | — |
| Điện áp mức ngưỡng cửa | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Kháng nhiệt | [DATA_NEEDED: thermal resistance] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| AEC-Q100 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] | — |
| Trạng thái RoHS | unknown | Compliant |
| Lead-Free Status | unknown | — |
| Halogen-Free Status | unknown | — |
| REACH Status | unknown | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS 6 (trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 60 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 240 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.9 milliohm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 42 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55C to +175C |
| Cấp MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |