BSC0504NSIATMA1 vs IAUC60N04S6L039ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC0504NSIATMA1 توسط Infineon و IAUC60N04S6L039ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC0504NSIATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current at Ta 21 A —
Continuous Drain Current at Tc 72 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Technology Family OptiMOS 5 —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پین‌ها 8 pins —
Exposed Pad Yes, according to distributor package description —
On-State Resistance [DATA_NEEDED: on-state resistance] —
Gate Charge [DATA_NEEDED: gate charge] —
ولتاژ آستانه گیت [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
مقاومت حرارتی [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
وضعیت RoHS unknown Compliant
Lead-Free Status unknown —
Halogen-Free Status unknown —
REACH Status unknown —
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 6 (trench)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 60 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 240 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.9 milliohm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (P_D) — 42 W
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت