BSC0921NDIATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC0921NDIATMA1 bằng Infineon và BSZ0901NSIATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 - Dual N-Ch 30V OptiMOS 25V MOSFET | Infineon

BSC0921NDIATMA1 - Dual N-Ch 30V OptiMOS 25V MOSFET | Infineon

BSC0921NDIATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC0921NDIATMA1 BSZ0901NSIATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 25V (N-channel) OptiMOS trench N-channel MOSFET
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 17 A (per channel) —
Pulsed Drain Current (IDM) 31 A (per channel, package-limited) —
Total Power Dissipation (PD) 1 W —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
Output Charge (Qoss) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
Hộp PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL 1 (per Infineon OptiMOS family) —
Primary Application Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators —
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
Số chân — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá