BSC0921NDIATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC0921NDIATMA1 מאת Infineon ו BSZ0901NSIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC0921NDIATMA1 BSZ0901NSIATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 25V (N-channel) OptiMOS trench N-channel MOSFET
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 17 A (per channel) —
Pulsed Drain Current (IDM) 31 A (per channel, package-limited) —
Total Power Dissipation (PD) 1 W —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
Output Charge (Qoss) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
מארז PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 (per Infineon OptiMOS family) —
Primary Application Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators —
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
מספר פינים — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר