BSD214SNH6327XTSA1 vs BSL308CH6327XTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSD214SNH6327XTSA1 bằng Infineon và BSL308CH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSD214SNH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) at 25C 1.5 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta 500 mW —
Gate Drive Voltage (Rds On rated) 2.5 V, 4.5 V —
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] —
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] —
Vgs(th) (typical) [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] —
Hộp SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction) -55 °C to +150 °C
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs
Configuration — Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) — 2.3 A
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) — 2 A
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch]
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch]
Total Gate Charge (Qg) — 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 18 pF
Automotive Qualified — Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade)
Lead-Free — Yes
Đông trùng haogen — Yes (per Infineon product family convention)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá