BSD214SNH6327XTSA1 vs BSL308CH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSD214SNH6327XTSA1 توسط Infineon و BSL308CH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSD214SNH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) at 25C 1.5 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta 500 mW —
Gate Drive Voltage (Rds On rated) 2.5 V, 4.5 V —
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] —
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] —
Vgs(th) (typical) [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] —
بسته‌بندی SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction) -55 °C to +150 °C
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs
Configuration — Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) — 2.3 A
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) — 2 A
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch]
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch]
Total Gate Charge (Qg) — 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 18 pF
Automotive Qualified — Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade)
Lead-Free — Yes
بدون هالوژن — Yes (per Infineon product family convention)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت