BSP295H6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSP295H6327XTSA1 bằng Infineon và BSS214NWH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSP295H6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C 1.8 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C 1.8 W —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 300 mΩ —
Hộp PG-SOT223-4 (3 leads + tab) PG-SOT323 (SOT-323-3)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +150 °C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Tape and Reel Packing Code H6327 (7-inch reel) —
Channel Mode Enhancement —
Technology Planar N-channel MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Drain Tab Connection Pin 4 (tab) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS214NWH6327XTSA1
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
Nhiệt độ hoạt động — -55C to +150C (junction)
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá