BSZ011NE2LS5IATMA1 vs BSZ018NE2LSIATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSZ011NE2LS5IATMA1 bằng Infineon và BSZ018NE2LSIATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
BSZ018NE2LSIATMA1 - 25V N-Ch OptiMOS 1.8mOhm MOSFET | Infineon
BSZ018NE2LSIATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSZ011NE2LS5IATMA1 | BSZ018NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS (Infineon trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 35 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 40 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 69 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 4.5 V to 10 V | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +150°C | -55 C to +150 C |
| Hộp | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSZ018NE2LSIATMA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 22 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 1.8 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 69 W |