BSZ031NE2LS5ATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSZ031NE2LS5ATMA1 bằng Infineon và BSC014N04LSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSZ031NE2LS5ATMA1 - 25V N-Ch 3.1mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSZ031NE2LS5ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
BSC014N04LSATMA1 - 40V 1.4mOhm OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
BSC014N04LSATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSZ031NE2LS5ATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSZ031NE2LS5ATMA1 | — |
| Technology / Platform | OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 25 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | 3.1 mOhm | — |
| RDS(on) typical @ VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 30 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +150 C | — |
| Hộp | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL] | 1 (unlimited) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +175C |
| Technology | — | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |