BSZ0501NSIATMA1 vs BSC028N06NSTATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSZ0501NSIATMA1 bằng Infineon và BSC028N06NSTATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSZ0501NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
BSZ0501NSIATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
BSC028N06NSTATMA1 - 60V 2.8mΩ N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSC028N06NSTATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSZ0501NSIATMA1 | BSC028N06NSTATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSZ0501NSIATMA1 | — |
| Product Family | OptiMOS 5 (25V/30V) | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at TA=25C | 25 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at TC=25C | 50 W | — |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Hộp | PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 8 | — |
| JESD-609 Code | e3 (matte tin) | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Rds(on) at Vgs=10V (typ) | [DATA_NEEDED: Rds(on) value] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Tj max] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Part Number Base | — | BSC028N06NS |
| Technology | — | MOSFET N-Channel (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5 V to 3.5 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 37 nC @ VGS=10V |
| Input Capacitance Ciss | — | 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet] |
| Output Capacitance Coss | — | 825 pF |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | — | 56 pF |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 100 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55C to +175C |
| Đông trùng haogen | — | Yes |
| AEC-Q101 Automotive Qualified | — | [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ] |