BSZ068N06NSATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSZ068N06NSATMA1 bằng Infineon và ISC015N06NM5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSZ068N06NSATMA1 - 60V, 6.8mΩ N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSZ068N06NSATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
ISC015N06NM5ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSZ068N06NSATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench-gate) | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 40 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | [DATA_NEEDED: ID at Ta] | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 6.8 mΩ @ VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 46 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +150 °C | -55 C to +175 C |
| Hộp | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | MSL1 | — |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, halogen-free | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |