BSZ0901NSIATMA1 vs BSZ017NE2LS5IATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSZ0901NSIATMA1 bằng Infineon và BSZ017NE2LS5IATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSZ0901NSIATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ0901NSIATMA1 —
Series OptiMOS 25V —
Technology OptiMOS trench N-channel MOSFET —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 69 W —
Hộp PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số chân 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +150 C (typical MOSFET range) —
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (TA) — 27 A
Continuous Drain Current (TC) — 40 A
On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V — 1.7 mΩ
On-Resistance Test Current — 20 A
Gate-Source Voltage (VGS) Rating — ±16 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V @ 250 µA
Total Gate Charge Qg — 30 nC @ VGS=10V
Input Capacitance Ciss — 2000 pF @ VDS=12V
Power Dissipation (TA) — 2.1 W
Power Dissipation (TC) — 50 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55°C to +150°C
Series / Family — OptiMOS 5 25V

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá