EP1M120F484C8ES vs EP1M120F484C7ES So sánh
So sánh chi tiết song song của EP1M120F484C8ES bằng Intel và EP1M120F484C7ES bằng Intel. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | EP1M120F484C8ES | EP1M120F484C7ES |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Intel | Intel |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Obsolete | Hoạt động |
| Family | ACEX 1M | Mercury (EP1M) |
| Manufacturer | Intel (formerly Altera) | — |
| Logic Elements / Gates | 120,000 (120K gates) | — |
| Embedded Logic Cells (EABs) | 4,800 | — |
| User I/O Pins | 303 | 303 |
| Hộp | 484-ball FineLine BGA | 484-ball FCBGA / FineLine BGA |
| Speed Grade | C8 (-8 speed bin) | C7 |
| Sample Grade | ES (Engineering Sample) | — |
| Process Technology | 0.18 µm CMOS, SRAM-based | — |
| Embedded RAM | ~104 Kbits across 12 RAM blocks | — |
| PLLs | 4 enhanced PLLs | — |
| I/O Standards | LVTTL, LVCMOS, True-LVDS, PCI | — |
| Operating Voltage (Core) | [DATA_NEEDED: core VCC range] | — |
| MultiVolt I/O Support | 1.5 V / 2.5 V / 3.3 V / 5.0 V tolerant | — |
| Configuration Method | SRAM bitstream, JTAG/serial | SRAM-based, volatile (requires config device) |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: industrial/commercial grade temp range] | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED] | Compliant |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount (BGA) | Surface Mount (BGA) |
| Logic Elements | — | 120,000 |
| Logic Cells / LABs | — | 49,152 logic cells / 4,800 LABs |
| Operating Temperature Grade | — | ES (engineering sample / extended screen) |
| Integrated Transceivers | — | Yes - high-speed differential with CDR |
| On-chip Memory | — | Block RAM + distributed RAM (consult Mercury datasheet for total bits) |
| DSP Blocks | — | Hardware multiplier/accumulator blocks (consult Mercury datasheet for count) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Cấp MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level from manufacturer datasheet] |