EP4CE40U19A7N vs EP4CE115F23C8N So sánh
So sánh chi tiết song song của EP4CE40U19A7N bằng Intel và EP4CE115F23C8N bằng Intel. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | EP4CE40U19A7N | EP4CE115F23C8N |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Intel | Intel |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Series | Cyclone IV E | Cyclone IV E |
| Family | EP4CE40 | — |
| Logic Elements (LE) | 39,600 | — |
| Embedded Memory (bits) | 1,161,216 (113 Kbytes) | — |
| Embedded Multipliers (18x18) | 116 | — |
| M9K Memory Blocks | 66 | — |
| Maximum User I/O | 328 | — |
| PLLs | 4 | — |
| Global Clock Networks | 20 | — |
| Hộp | 484-ball FBGA (U19) | 484-ball FineLine BGA (F23) |
| Grade | Automotive (A7 = -40C to 125C TJ) | — |
| Process Technology | 60 nm low-power CMOS | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -40C to +125C | — |
| Storage Temperature | -65C to +150C | — |
| Configuration Modes | JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP) | — |
| External Memory Support | DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM | — |
| I/O Standards | LVDS, SSTL, HSTL, PCI, LVTTL, LVCMOS | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Logic Elements | — | 114,480 LE |
| Embedded Memory | — | 3,981,312 bits (3.8 Mbit) |
| User I/O Count | — | 280 |
| Number of Logic Array Blocks (LABs) | — | [DATA_NEEDED: LAB count] |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | 432 |
| General-purpose PLLs | — | 4 |
| Process Node | — | 60 nm |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Ball Pitch | — | 1.0 mm |
| Kiểu lắp đặt | — | Surface Mount (BGA) |
| Nhiệt độ hoạt động | — | 0C to +85C (Commercial) |
| Speed Grade | — | C8 |