H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-UHC So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN4G8NBJR-RDC bằng SK hynix và H5AN4G8NBJR-UHC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-UHC
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Tổ chức 512M x 8 512M x 8
Giao diện DDR4 (Double Data Rate IV) DDR4 (JEDEC)
Hộp 78-ball FBGA TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Điện áp cung cấp [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] 1.2 V
Tốc độ dữ liệu [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] 2400 Mbps (PC2400)
Bank Architecture 8 banks with 4 bank groups (x8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Termination On-Die Termination (ODT) —
Trạng thái RoHS Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) Compliant (Rohs Code: Yes)
Process Technology CMOS —
Manufacturer SK hynix SK Hynix Inc.
Family Series H5AN4G4/8/6NBJR —
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latency CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá