H5AN4G8NBJR-VKIR vs H5AN4G8NBJR-VKI So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN4G8NBJR-VKIR bằng SK hynix và H5AN4G8NBJR-VKI bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKI
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Tổ chức 512M x 8 512M x 8
Tốc độ dữ liệu 2666 Mbps per pin 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Hộp 78-ball FBGA FBGA-78
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (Industrial) -40C to +85C (case) —
Extended Temperature Range +85C to +95C (case, per datasheet conditions) —
Technology CMOS DRAM —
Product Family H5AN4G4/6/8NBJR series —
Speed Grade Code -VKI —
Packing Suffix R (Tape & Reel) —
VPP Supply [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] —
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh interval specification] [DATA_NEEDED: Refresh specification]
Điện áp cung cấp — 1.2 V
I/O Voltage — 1.2 V (SSTL12)
Speed Grade — V (2666)
Temperature Grade — Industrial (I suffix)
Architecture — CMOS, 8n prefetch, bank groups
Termination — On-Die Termination (ODT)
DBI Support — Yes (Data Bus Inversion / DM)
Nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Trạng thái RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá