H5AN8G6NDJR-UHC vs H5AN8G6NAFR-UHC So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN8G6NDJR-UHC bằng SK hynix và H5AN8G6NAFR-UHC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (CMOS)
Density 8 Gb —
Tổ chức 512M x 16 512M x 16
Speed Grade 3200 Mbps (PC4-25600) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Number of Terminals 96 —
Hộp FBGA-96 (13x7.5 mm) 96-ball FBGA (TFBGA)
Package Shape RECTANGULAR —
JESD-30 Code R-PBGA-B96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Minimum Operating Temperature 0 °C —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Đông trùng haogen Yes —
Additional Features Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling —
Memory Density — 8 Gbit
Điện áp cung cấp — 1.2 V
Tốc độ dữ liệu — 2400 MT/s
Clock Architecture — Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động — 0C to +85C
Refresh — Auto self-refresh
Precharge — Auto precharge function
Reset — Asynchronous reset function
Data Mask — DM function supported
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration function
Error Checking — CRC function
Write Leveling — Write leveling function supported
Trạng thái RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá