H5AN8G6NDJR-UHC vs H5AN8G6NAFR-UHC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NDJR-UHC توسط SK hynix و H5AN8G6NAFR-UHC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC
برند SK hynix SK hynix
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (CMOS)
Density 8 Gb —
سازمان 512M x 16 512M x 16
Speed Grade 3200 Mbps (PC4-25600) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Number of Terminals 96 —
بسته‌بندی FBGA-96 (13x7.5 mm) 96-ball FBGA (TFBGA)
Package Shape RECTANGULAR —
JESD-30 Code R-PBGA-B96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Minimum Operating Temperature 0 °C —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes —
Additional Features Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling —
Memory Density — 8 Gbit
ولتاژ تغذیه — 1.2 V
نرخ داده — 2400 MT/s
Clock Architecture — Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous
نوع نصب — Surface Mount
دمای کاری — 0C to +85C
Refresh — Auto self-refresh
Precharge — Auto precharge function
Reset — Asynchronous reset function
Data Mask — DM function supported
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration function
Error Checking — CRC function
Write Leveling — Write leveling function supported
وضعیت RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت