H5AN8G6NDJR-UHC vs H5AN8G6NAFR-UHC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NDJR-UHC توسط SK hynix و H5AN8G6NAFR-UHC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NDJR-UHC | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (CMOS) |
| Density | 8 Gb | — |
| سازمان | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Speed Grade | 3200 Mbps (PC4-25600) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| بستهبندی | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Minimum Operating Temperature | 0 °C | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Additional Features | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling | — |
| Memory Density | — | 8 Gbit |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| نرخ داده | — | 2400 MT/s |
| Clock Architecture | — | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| دمای کاری | — | 0C to +85C |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Precharge | — | Auto precharge function |
| Reset | — | Asynchronous reset function |
| Data Mask | — | DM function supported |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration function |
| Error Checking | — | CRC function |
| Write Leveling | — | Write leveling function supported |
| وضعیت RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |