H5ANAG6NBJR-RDC vs H5ANAG8NBJR-VKC So sánh
So sánh chi tiết song song của H5ANAG6NBJR-RDC bằng SK hynix và H5ANAG8NBJR-VKC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5ANAG6NBJR-RDC | H5ANAG8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | SK hynix |
| Danh mục | DRAM | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Organization | 16Gb x16 | — |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Tốc độ dữ liệu | 2666 Mbps (speed grade -RDC) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Giao diện | Synchronous, double data rate | — |
| Clocking | Fully synchronous to both clock edges | — |
| Hộp | FBGA (Ball Grid Array), surface mount | FBGA-78 |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Application | Main memory | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | 0C to +85C |
| On-Die Termination (ODT) | Supported (DDR4 feature) | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant, Lead-Free and Halogen-Free |
| Tổ chức | — | 2G x 8 |
| Speed Grade | — | DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) |
| Điện áp cung cấp | — | 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (internal interface per distributor data) |
| Standby Current | — | 30 mA (operating, per distributor listing) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Refresh Interval | — | [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] |