H5TC4G63MFR-PBA vs MT41K256M16HA-15EM:E So sánh

So sánh chi tiết song song của H5TC4G63MFR-PBA bằng SK hynix và MT41K256M16HA-15EM:E bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ Hoạt động
Micron Technology
MT41K256M16HA-15EM:E MT41K256M16HA-15EM:E - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16HA-15EM:E - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16HA-15EM:E ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5TC4G63MFR-PBA MT41K256M16HA-15EM:E
Thương hiệu SK hynix Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (+0.100V/-0.067V) —
Tốc độ dữ liệu 1866 Mbps (PC3L-14900) 1333 Mbps (DDR3L-1333)
Hộp 96-ball FBGA 96-ball FBGA (9x14mm)
Number of Banks 8 —
Burst Length BL8, BL4 (with burst chop) —
CAS Latency (CL) Programmable —
CAS Write Latency (CWL) Programmable —
Additive Latency Programmable —
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Temperature-Compensated Self-Refresh Yes —
Process Technology 30nm-class —
RoHS Compliant Yes (Lead-Free & Halogen-Free) —
Điện áp cung cấp — 1.35 V (1.5V compatible)
Latency CAS — 15
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Trạng thái RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Số lượng chân — 96
Access Time — 13.75 ns
Clock Frequency — 800 MHz
Giao diện — Parallel

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá