IAUC100N04S6N015ATMA1 vs IAUC100N04S6N028ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUC100N04S6N015ATMA1 bằng Infineon và IAUC100N04S6N028ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6N015ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUC100N04S6N015ATMA1 | IAUC100N04S6N028ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-6 40V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) | 100 A | — |
| Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) | 100 W | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page) | 2.8 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C (junction, typical) | -55 °C to +175 °C |
| Hộp | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8 (TDSON-8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (unlimited floor life) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 6 40V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 400 A |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 1.5 V to 2.5 V |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: Q_g in nC] |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | — | 62 W |
| Automotive Qualified | — | Yes |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |