IAUC50N08S5L096ATMA1 vs ISC016N08NM8ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IAUC50N08S5L096ATMA1 bằng Infineon và ISC016N08NM8ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
ISC016N08NM8ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IAUC50N08S5L096ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 OptiMOS 8
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 50 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A —
On-Resistance (RDS(on)) 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Power Dissipation (PD) 60 W (Tc) —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +175°C -55 C to +150 C (junction)
Hộp PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) SuperSO8 / PG-TDSON-8 (5.0 x 6.0 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020E classification for SuperSO8)
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS max) — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V (typical rating)
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — [DATA_NEEDED: pulsed/continuous current rating at Tc]
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 268 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 263 W
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 1.6 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Technology — Trench-gate OptiMOS 8 (silicon)
Lead-Free / Halogen-Free — Lead-free (per Infineon product page)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá