IAUCN08S7L110ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IAUCN08S7L110ATMA1 bằng Infineon và IAUCN04S7N037GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) 50 A —
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 58 W —
R<sub>DS(on)</sub> (typ., V<sub>GS</sub>=10 V) 11 mΩ —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max [DATA_NEEDED: V_GS_max] —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: V_GS_th] —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) [DATA_NEEDED: Q_G_total] —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +175 °C —
Hộp PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Technology OptiMOS™ (Trench) Trench MOSFET, N-Channel
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101 expected per family) —
Polarity Single N-Channel —
Configuration Single —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Automotive Qualification — AEC-Q101
Khoảng nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá