IAUCN10S7L290TATMA1 vs IAUZN10S7L289ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IAUCN10S7L290TATMA1 bằng Infineon và IAUZN10S7L289ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IAUCN10S7L290TATMA1 IAUCN10S7L290TATMA1 - 100V 27A OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN10S7L290TATMA1 - 100V 27A OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN10S7L290TATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IAUZN10S7L289ATMA1 IAUZN10S7L289ATMA1 - 100V 27A OptiMOS-7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN10S7L289ATMA1 - 100V 27A OptiMOS-7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN10S7L289ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IAUCN10S7L290TATMA1 IAUZN10S7L289ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 7 OptiMOS-7
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 27 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 28.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 45 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +175 °C —
Hộp PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Compliance Compliant Yes
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes —
ESD Protection HBM Class 1C (per Infineon datasheet) —
Technology — Trench MOSFET (N-Channel)
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 27 A
Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) — 45 W
On-State Resistance (RDS(on), max, VGS=10V) — 28.9 mΩ
Automotive Grade — AEC-Q100 qualified (Automotive MOSFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55°C to +175°C (Tj)
Trạng thái RoHS — Compliant
Số chân — 8

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá