IAUZ30N10S5L240ATMA1 vs IAUCN10S7L290TATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUZ30N10S5L240ATMA1 bằng Infineon và IAUCN10S7L290TATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUZ30N10S5L240ATMA1 - 100V 30A 24mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ30N10S5L240ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUCN10S7L290TATMA1 - 100V 27A OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7L290TATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUZ30N10S5L240ATMA1 | IAUCN10S7L290TATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 30 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 24 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| Gate Charge (Q_g) typ | 14 nC at V_GS=10V | — |
| Input Capacitance (C_iss) typ | 832 pF at V_DS=50V | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 45.5 W | — |
| Hộp | PG-TSDSON-8-32 (8-PowerTDFN, exposed drain pad) | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +175°C (junction, automotive grade) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q100 qualified |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS™ 7 |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 27 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 28.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 45 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 °C to +175 °C |
| Cấp MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| ESD Protection | — | HBM Class 1C (per Infineon datasheet) |