IKW50N65H5FKSA1 vs IKW20N60TFKSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IKW50N65H5FKSA1 bằng Infineon và IKW20N60TFKSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 - 650V 50A IGBT Single | Infineon TO-247

IKW50N65H5FKSA1 - 650V 50A IGBT Single | Infineon TO-247

IKW50N65H5FKSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 - 600V 20A TrenchStop IGBT | Infineon TO-247

IKW20N60TFKSA1 - 600V 20A TrenchStop IGBT | Infineon TO-247

IKW20N60TFKSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IKW50N65H5FKSA1 IKW20N60TFKSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Transistors IGBTs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Type IGBT Single Transistor —
Technology TRENCHSTOP 5 (H5 high-speed family) —
Collector-Emitter Voltage (VCE) 650 V —
Continuous Collector Current (IC, TC=25C) 80 A —
Continuous Collector Current (IC, TC=100C) 50 A —
Pulsed Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: ICM value] —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 305 W —
N Nap-Emit (Vce(sat)) 1.65 V at IC = 50 A —
Gate-Emitter Voltage (VGE) max 20 V (typical rating) —
Gate Threshold Voltage (VGE(th)) [DATA_NEEDED: VGE(th) value] —
Built-in Diode Yes, anti-parallel co-packaged diode —
Operating Junction Temperature (Tj) -40 C to +175 C (typical IGBT max) —
Hộp TO-247 (PG-TO247-3), 3 pins —
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Packing Tube (240 pcs/tube per Infineon product page) —
Trạng thái RoHS Compliant (per Infineon) Compliant
Trạng thái vòng đời Active (per Infineon product page) —
Part Number — IKW20N60TFKSA1
Part Status — Active
IGBT Type — Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) — 600 V
Current - Collector (Ic) Max @ 25C — 40 A
Current - Collector (Ic) Continuous — 20 A
Power - Max — 166 W
Switching Energy (Eon+Eoff) — [DATA_NEEDED: switching energy value]
Vce(on) at Ic, Tj=25C — [DATA_NEEDED: Vce(sat) at rated condition]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: gate charge value]
Input Capacitance (Cies) — [DATA_NEEDED: input capacitance value]
Reverse Recovery Time (trr) of co-packaged diode — [DATA_NEEDED: trr value]
Td(on)/Td(off) — [DATA_NEEDED: turn-on/off delay times]
Operating Temperature Junction (Tj) — -40C to +175C
Hộp / Vỏ — TO-247-3 (PG-TO247-3-1)
Diode Configuration — Anti-parallel (co-packaged, full-rated)
Technology Family — TRENCHSTOP IGBT3

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá