IMLT65R040M2HXTMA1 vs IMLT40R011M2HXTMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IMLT65R040M2HXTMA1 bằng Infineon và IMLT40R011M2HXTMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IMLT65R040M2HXTMA1 - 650V 57A 40mOhm CoolSiC G2 MOSFET | Infineon
IMLT65R040M2HXTMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IMLT40R011M2HXTMA1 - 400V 11mΩ SiC MOSFET CoolSiC G2 | Infineon
IMLT40R011M2HXTMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IMLT65R040M2HXTMA1 | IMLT40R011M2HXTMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolSiC™ G2 (2nd generation SiC trench) | CoolSiC MOSFET 400V G2 |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) N-channel MOSFET | Silicon Carbide (SiC) Gen-2 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 400 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | 57 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | 143 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) (typ, VGS=18V) | 40 mΩ | — |
| On-State Resistance RDS(on) (max, VGS=18V) | 49 mΩ | — |
| Total Gate Charge QG | 28 nC | — |
| Output Charge QOSS @ 400 V | 53 nC | — |
| Output Energy EOSS @ 400 V | 7.2 µJ | — |
| Continuous Drain Power Dissipation (PD, TC) | 268 W | — |
| Recommended Gate Drive Voltage VGS | 18 V (turn-off: 0 V or negative) | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +150 °C | — |
| Hộp | PG-HDSOP-16-6 (surface mount, top-side-cooled) | PG-HDSOP-16-8 (surface mount, top-side cooled) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC industrial | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Special Features | Kelvin source pin, low reverse-recovery charge, hard-switching optimized | — |
| Kiểu transitor | — | N-Channel SiC MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 144 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 429 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 11 mΩ (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.5 V (benchmark) |
| Recommended Gate Drive Voltage | — | 0 V to 18 V |
| Body Diode | — | Commutation-robust fast body diode, low Qrr |
| Avalanche Rating | — | 100% avalanche tested |
| Interconnection Technology | — | XT (best-in-class thermal performance) |
| Operating Mode | — | Enhancement mode |
| Target Topologies | — | 2- and 3-level hard- and soft-switching |
| Target Applications | — | AI server PSU, SMPS, motor drives |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |