IPB110P06LMATMA1 vs IPP037N08N3GXKSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPB110P06LMATMA1 bằng Infineon và IPP037N08N3GXKSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPP037N08N3GXKSA1 - 80V 100A 3.7mΩ OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPP037N08N3GXKSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPB110P06LMATMA1 | IPP037N08N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C (TJ) | -55°C to +175°C (junction) |
| Hộp / Vỏ | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Through Hole |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | — | 100 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 3.75 mΩ |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | — | 6 V, 10 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | — | 214 W |
| Hộp | — | PG-TO220-3 (Through Hole) |
| Số chân | — | 3 |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS] |