IPC100N04S5L1R1ATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPC100N04S5L1R1ATMA1 bằng Infineon và BSC050N04LSGATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPC100N04S5L1R1ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon
IPC100N04S5L1R1ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPC100N04S5L1R1ATMA1 | BSC050N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS-5 40 V | — |
| Kiểu transitor | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 1.1 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 150 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | Logic Level | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C | -55C to +150C |
| Hộp | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) | PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow) | 1 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% avalanche tested | — |
| RoHS Compliance | Green Product (RoHS compliant) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) | — | 18 A |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) | — | 85 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 57 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Technology | — | OptiMOS 3 (trench MOSFET) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse avalanche) |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |