IPD33CN10NGATMA1 vs IPD70N10S312ATMA2 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD33CN10NGATMA1 bằng Infineon và IPD70N10S312ATMA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD33CN10NGATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon | PG-TO252
IPD33CN10NGATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPD70N10S312ATMA2 - 100V 70A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
IPD70N10S312ATMA2 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD33CN10NGATMA1 | IPD70N10S312ATMA2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 27 A | 70 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 58 W | — |
| Technology | OptiMOS (Trench) | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) |
| Hộp | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Số chân | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C (TJ) | -55C to +175C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Cấp MSL | 1 | 1 (unlimited floor life) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD70N10S312ATMA2 |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | — | 125 W |
| On-State Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Rated | — | Yes |