IPD78CN10NGATMA1 vs IPD031N03LGATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPD78CN10NGATMA1 bằng Infineon và IPD031N03LGATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 - 100V 13A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD78CN10NGATMA1 - 100V 13A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD78CN10NGATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 - 30V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD031N03LGATMA1 - 30V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD031N03LGATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPD78CN10NGATMA1 IPD031N03LGATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 2 —
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 13 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 78 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) Max at Tc=25C 31 W —
Operating Junction Temperature Max 175 C —
Hộp / Vỏ PG-TO252-3 (DPAK) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số chân 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC1 for target application —
Technology OptiMOS 2 Power-Transistor MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C — 90 A (Tc)
Power Dissipation (Pd) — 94 W (Tc)
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3.1 mΩ
RDS(on) Max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max]
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs]
Output Charge (Qoss) — Ultra low (per datasheet tagline)
Nhiệt độ hoạt động — -55 °C to +175 °C (junction)
Hộp — PG-TO252-3-11 (DPAK-2)
Mounting Tab — Drain (electrically connected)
Avalanche Energy Rated — Yes (per OptiMOS 3 datasheet family)
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá