IPTC017N12NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPTC017N12NM6ATMA1 bằng Infineon và ISC151N08NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPTC017N12NM6ATMA1 IPTC017N12NM6ATMA1 - 120V 1.7mΩ 331A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IPTC017N12NM6ATMA1 - 120V 1.7mΩ 331A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IPTC017N12NM6ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPTC017N12NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Technology OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 32 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 331 A —
On-State Resistance RDS(on) max 1.7 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold VGS(th) 2.4 V (typ) —
Total Gate Charge QG 141 nC at VGS = 10 V —
Input Capacitance Ciss 2.4 nF at VDS = 60 V —
Output Capacitance Coss 11000 pF at VDS = 60 V —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 395 W —
Hộp PG-HDSOP-16 (Surface Mount) PG-TDSON-8 FL
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động -55 °C to +175 °C (TJ max) -55 °C to +175 °C
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Trực流连续电流 (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Số lượng chân — 8
Channel Mode — Enhancement

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá