IPTC054N15NM5ATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPTC054N15NM5ATMA1 bằng Infineon và IQE220N15NM5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPTC054N15NM5ATMA1 IPTC054N15NM5ATMA1 - 150V 143A 5.4mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPTC054N15NM5ATMA1 - 150V 143A 5.4mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPTC054N15NM5ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPTC054N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 (IPT family) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 17.5 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 143 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 250 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A 5.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] 4.6 V (typ at 46 µA)
Total Gate Charge (Qg) typical 58 nC —
Forward Body Diode Voltage (VSD) 0.83 V —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +175 °C —
Hộp PG-HDSOP-16-2 (16-pin top-cooled) PG-TSON-8-5 (Source-Down)
Kiểu lắp đặt Surface Mount (top-side cooled) Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Product Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 7 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 44 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 22 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 14.4 nC at 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 14 pF
Output Capacitance (Coss) — 340 pF
Cấu hình đầu ra — Single N-Channel
Nhiệt độ hoạt động — -55C to +150C (junction)
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 5)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá