IPW60R041C6FKSA1 vs IPP147N12N3GXKSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPW60R041C6FKSA1 bằng Infineon và IPP147N12N3GXKSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPP147N12N3GXKSA1 - 120V 56A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IPP147N12N3GXKSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPW60R041C6FKSA1 | IPP147N12N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | NRND | Hoạt động |
| Technology | CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 77.5 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 481 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 41 mΩ at VGS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.5 V to 3.5 V typical | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Rise Time (tr) | [DATA_NEEDED: tr value] | — |
| Fall Time (tf) | [DATA_NEEDED: tf value] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +150°C | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| Hộp | PG-TO247-3-1 (TO-247-3) | PG-TO220-3 (through-hole) |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| Cấp MSL | Not Applicable (Through-hole) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant (per distributor listing suffixes XKSA1) |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 56 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 56 A (Ta, per DigiKey listing) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 107 W |
| Số lượng chân | — | 3 (3+Tab) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg value] |
| Rds(on) max | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) max in mOhm at Vgs=10V] |
| Vgs(th) (Gate Threshold) | — | [DATA_NEEDED: typical gate threshold voltage] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: typical Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: typical Coss] |
| Reverse Recovery (trr) | — | [DATA_NEEDED: body-diode reverse recovery time] |
| Avalanche Energy Rating | — | Single-pulse avalanche rated |
| Qualification | — | Automotive grade (per datasheet.live listing 'Automotive') |
| Packing Method | — | Tube |