IQE020N04LM6CGATMA1 vs IPT067N20NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQE020N04LM6CGATMA1 bằng Infineon và IPT067N20NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IQE020N04LM6CGATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPT067N20NM6ATMA1 - 200V 137A OptiMOS 6 Power MOSFET | Infineon
IPT067N20NM6ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQE020N04LM6CGATMA1 | IPT067N20NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 25 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 166 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 107 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V | 2.0 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typical | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Hộp | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate) | PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +150°C | -55C to +150C (junction) |
| Technology | OptiMOS 6, TrenchFET-class | Trench-gate OptiMOS 6 silicon |
| Configuration | Single N-Channel, source-down | Single N-channel |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] |
| Product Family | — | OptiMOS 6 |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 15.3 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 137 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: max VGS rating] |
| On-Resistance RDS(on) typ | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Lead-Free | — | Yes |