IQE050N08NM5CGSCATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQE050N08NM5CGSCATMA1 bằng Infineon và IQE220N15NM5CGSCATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 - 80V 99A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQE050N08NM5CGSCATMA1 | IQE220N15NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 5, Source-Down |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 99 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 16 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 5.0 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.8 V | — |
| Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Total Power Dissipation at TC (PD) | 100 W | — |
| Total Power Dissipation at TA (PD) | 2.5 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C (junction, typical) | -55C to +150C (junction) |
| Hộp | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) | PG-WHTFN-9 (Source-Down) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Lead-free, RoHS compliant | — |
| Cấp MSL | 1 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | — | 7 A |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | — | 44 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 100 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 22 milliohm (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.6 V |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |