IRF1010NPBF-VB vs IRF1010EPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF1010NPBF-VB bằng VBsemi Elec và IRF1010EPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF1010NPBF-VB | IRF1010EPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | VBsemi Elec | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage VDSS | 55 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 85 A (Tc) | — |
| Power Dissipation PD | 180 W (Tc) | — |
| On-Resistance RDS(on) | 0.014 Ohm (14 mOhm) | — |
| Total Gate Charge Qg | 80 nC | — |
| Gate-Source Voltage VGSS | +/-20 V | — |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Hộp | TO-220AB (Through Hole) | TO-220AB |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| Configuration | Single FET | Single FET |
| Process Technology | Planar HEXFET, Advanced Process Technology | — |
| Recommended Switching Frequency | Below 100 kHz | — |
| Market Qualification | Industrial | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (Pb-free suffix) | RoHS3 Compliant |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 84 A at Tc |
| Power Dissipation (PD) | — | 200 W at Tc |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 12 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 86.6 nC |
| Technology | — | HEXFET Power MOSFET |
| Cấp MSL | — | 3 (168 Hours) |
| Nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Rise Time / Fall Time | — | [DATA_NEEDED: switching times] |
| Thermal Resistance (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: input capacitance] |