IRF1310NSTRLPBF vs IRFB4110PBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF1310NSTRLPBF bằng Infineon và IRFB4110PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF1310NSTRLPBF | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | — | In Stock |
| Giá đơn vị (USD) | — | $1,55 |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 36 mOhm | 4.5 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | 73.3 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 160 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C | — |
| Hộp | D2PAK (TO-263AB) | TO-220AB (through-hole) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET (planar DMOS) |
| Built-in Diode | Yes (intrinsic body diode) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 370 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 °C to +175 °C |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant (Pb-free suffix) |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |