IRF540ZPBF vs IRF3710ZPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF540ZPBF bằng Infineon và IRF3710ZPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF540ZPBF IRF540ZPBF - 100V 36A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF540ZPBF - 100V 36A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF540ZPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF - 100V 59A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3710ZPBF - 100V 59A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3710ZPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF540ZPBF IRF3710ZPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF540ZPBF —
Technology HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS) HEXFET (Advanced Process)
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C 36 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 26.5 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 42 nC —
Power Dissipation (P_D) at T_C=25C 92 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động -55 C to +175 C —
Hộp TO-220AB (through-hole, 3-lead) TO-220AB (through-hole, 3 pins)
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Số chân 3 (Gate, Drain, Source) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Lead-Free Yes Yes
Automotive Qualified Yes (per datasheet description) —
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 59 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 160 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 18 mOhm (typical)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — 82 nC (typical)
Maximum Junction Operating Temperature — 175 C
Gate Drive Voltage (Optimized) — 10 V
Pin Configuration — G-D-S (Gate-Drain-Source, standard TO-220)
Qualification Standard — JEDEC, Normal Level

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá