IRF540ZPBF vs IRF3710ZPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF540ZPBF מאת Infineon ו IRF3710ZPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF540ZPBF IRF3710ZPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF540ZPBF —
Technology HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS) HEXFET (Advanced Process)
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C 36 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 26.5 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 42 nC —
Power Dissipation (P_D) at T_C=25C 92 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
טווח טמפרטורת צומת פעולה -55 C to +175 C —
מארז TO-220AB (through-hole, 3-lead) TO-220AB (through-hole, 3 pins)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Lead-Free Yes Yes
Automotive Qualified Yes (per datasheet description) —
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 59 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 160 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 18 mOhm (typical)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — 82 nC (typical)
Maximum Junction Operating Temperature — 175 C
Gate Drive Voltage (Optimized) — 10 V
Pin Configuration — G-D-S (Gate-Drain-Source, standard TO-220)
Qualification Standard — JEDEC, Normal Level

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר