IRF7832TRPBF vs IRF8736TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF7832TRPBF bằng Infineon và IRF8736TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF7832TRPBF | IRF8736TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF7832TRPBF | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | HEXFET (trench MOSFET) | StrongIRFET / HEXFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 20 A | 18 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.0 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical | 1.0 V to 2.5 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typical | 34 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +150 C (TJ) | -55C to +150C (junction) |
| Hộp | 8-SO (SOIC-8) | SO-8 (8-SO, MS-012AA) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Power Dissipation (PD) Max at TA=25C | — | 2.5 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 4.8 mOhm at VGS = 10V |
| Gate Charge (Qg) Typical | — | 17 nC |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully characterized avalanche voltage) |
| Configuration | — | Single |
| Packaging | — | Tape & Reel (TRPBF suffix) |